[发明专利]一种DMOS器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201310239121.7 | 申请日： | 2013-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN104241356B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 马万里 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种DMOS器件及其制作方法，用以提高DMOS器件元胞的密度。所述方法包括在位于硅衬底和半导体外延层上的体区内形成与每一元胞对应的沟槽；对所述沟槽中露出的体区的设定区域进行掺杂，形成位于所述体区内的源区；在所述沟槽中生长栅氧化层；在所述形成有栅氧化层的沟槽内形成多晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种双扩散金属氧化物半导体DMOS器件的制作方法，所述DMOS器件包括多个元胞，其特征在于，所述方法包括：在硅衬底上依次形成位于硅衬底上的半导体外延层，位于半导体外延层上的体区，以及位于体区上的第一绝缘层；在所述半导体外延层和体区中形成与每一元胞对应的沟槽；在所述沟槽中沉积设定厚度的第二绝缘层，第二绝缘层的水平面低于所述体区的水平面，使得沟槽内第二绝缘层与第一绝缘层之间的体区露出；将形成有半导体外延层、体区、第一绝缘层以及第二绝缘层的衬底放入炉管中，在800‑1000℃的温度条件下，通入掺杂气体，形成源区；去除所述第二绝缘层；在所述沟槽中生长栅氧化层；在所述形成有栅氧化层的沟槽内形成多晶硅层。
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