[发明专利]增大化学气相沉积石墨烯单晶晶畴尺寸的方法无效
| 申请号： | 201310236892.0 | 申请日： | 2013-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN103352249A | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | 张燕辉;于广辉;陈志蓥;王彬;张浩然 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B25/00 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达 |
| 地址： | 200050 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种增大化学气相沉积石墨烯单晶晶畴尺寸的方法，包括：将衬底置入独立腔室中，加热使衬底温度达到500-1600℃；然后在惰性气体保护下通入含碳气体，在0.1-760torr下反应，反应结束后降至室温，即可。本发明简单易操作，本发明的方法可以使相同衬底上制备的多晶石墨烯单晶晶畴尺寸增大数倍甚至10倍以上，重复性高并且不影响其他生长参数对石墨烯生长的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 增大 化学 沉积 石墨 烯单晶晶畴 尺寸 方法 | ||
【主权项】：
一种增大化学气相沉积石墨烯单晶晶畴尺寸的方法，包括：将衬底置入化学气相沉积装置的独立腔室中，加热使衬底温度达到500‑1600℃；然后在惰性气体保护下通入含碳气体，在0.1‑760torr下反应，反应结束后降至室温，即可。
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