[发明专利]电子倍增电荷耦合器件的抗弥散结构及制作工艺

摘要

本发明公开了一种电子倍增电荷耦合器件EMCCD的抗弥散结构，在此结构中抗弥散通道置于EMCCD成像区的成像单元内部，抗弥散通道两侧是EMCCD成像区成像单元中的信号通道，当强光照射或光积分时间相对过长产生的过量光生载流子溢出到抗弥散通道，通过抗弥散通道转化成电流释放，从而抑制了弥散现象，这种抗弥散结构能够保证基于EMCCD的微光成像系统具有较高的灵敏度响应的基础上，又大大拓展了以EMCCD图像传感器为核心器件的微光成像系统的动态范围。

主权项

一种电子倍增电荷耦合器件的抗弥散结构，其特征是，多个成像单元组成EMCCD的成像区，所述成像单元内设置抗弥散通道，并且在成像单元的信号通道和所述抗弥散通道之间建立抗弥散势垒。