[发明专利]具有双间隔件的一晶体管和一阻变随机存取存储器的结构

摘要

本发明提供了具有双间隔件的一晶体管和一阻变随机存取存储器的结构，并且还提供了一种阻变随机存取存储器(RRAM)单元及其制造方法。RRAM单元包括晶体管和RRAM结构。RRAM结构包括底电极，具有通孔部分和顶部；阻变材料层，位于底电极上并且其宽度与底电极的顶部的宽度相同；覆盖层，位于底电极上方；第一间隔件，围绕覆盖层和顶电极；第二间隔件，围绕底电极的顶部和第一间隔件；以及顶电极。RRAM单元还包括将RRAM结构的顶电极连接至金属层的导电材料。

主权项

一种阻变随机存取存储器(RRAM)单元，包括：晶体管；阻变随机存取存储器结构，具有：底电极，具有通孔部分和顶部，所述底电极的所述通孔部分嵌入在第一阻变随机存取存储器停止层内；阻变材料层，位于所述底电极上，其宽度与所述底电极的所述顶部的宽度相同；覆盖层，位于所述阻变材料层上，其宽度小于所述阻变材料层的宽度；第一间隔件，围绕所述覆盖层，所述第一间隔件与所述阻变材料层对齐；第二间隔件，围绕所述阻变材料层和所述底电极的所述顶部；顶电极，位于所述阻变材料层上，其宽度等于所述覆盖层的宽度；以及导电材料，将所述阻变随机存取存储器结构的所述顶电极连接至金属层。