[发明专利]CMOS图像传感器、其像素单元及像素单元制备方法

摘要

本发明涉及一种CMOS图像传感器的像素单元，包括：P型半导体衬底；N型掺杂的光电二极管，形成于衬底上，用于将光子转换为电子；N型掺杂的悬浮漏极，形成于衬底上，用于将电子转换为电压信号输出；位于衬底上的传输管，用于自光电二极管向悬浮漏极传输电子；光电二极管至少包括第一区域和第二区域，悬浮漏极、第一区域和第二区域的N型离子掺杂浓度递减，其中，第一区域为临近传输管的光电二极管区域，第二区域为远离传输管的光电二极管区域。其有效避免了CMOS图像传感器输出图像出现残影、并明显降低了随机噪声。

主权项

一种CMOS图像传感器的像素单元，包括：P型半导体衬底；N型掺杂的光电二极管，形成于所述衬底上，用于将光子转换为电子；N型掺杂的悬浮漏极，形成于所述衬底上，用于将所述电子转换为电压信号输出；位于所述衬底上的传输管，用于自所述光电二极管向所述悬浮漏极传输所述电子；其特征在于，所述光电二极管至少包括第一区域和第二区域，所述悬浮漏极、所述第一区域和所述第二区域的N型离子掺杂浓度递减，其中，所述第一区域为临近所述传输管的光电二极管区域，所述第二区域为远离所述传输管的光电二极管区域。