[发明专利]半导体发光元件和发光装置

摘要

本发明的课题是维持从半导体发光元件输出的光的波长的单一性，并且抑制与环境温度的上升相伴的发光效率的下降。本发明提供一种半导体发光元件，其具备含有n型杂质的n覆盖层（142）、层叠在n覆盖层（142）上的发光层（150）、和含有p型杂质并且层叠在发光层（150）上的p覆盖层（161）。发光层（150）具备第1势垒层（151a）～第8势垒层（151h）和第1阱层（152a）～第7阱层（152g），由两个势垒层夹持1个阱层。将第1阱层（152a）～第5阱层（152e）设为共同的基准阱厚度和共同的组成，并将第6阱层（152f）和第7阱层（152g）设为比共同的基准阱厚度厚的最大阱厚度且设为带隙比共同的组成大的组成。

主权项

一种半导体发光元件，其特征在于，包含：n型半导体层，其由含有n型杂质的III族氮化物半导体构成；发光层，其层叠在所述n型半导体层上，并由III族氮化物半导体构成，并且通过通电而发光；和p型半导体层，其层叠在所述发光层上，并由含有p型杂质的III族氮化物半导体构成，所述发光层具备：由III族氮化物半导体构成的4层以上的阱层；和由带隙比所述阱层大的III族氮化物半导体构成，将4层以上的该阱层的各层从两侧夹持，并且在与所述n型半导体层的边界部与该n型半导体层连接，且在与所述p型半导体层的边界部与该p型半导体层连接的5层以上的势垒层，4层以上的所述阱层具有：从接近所述n型半导体层的一侧顺序设置多个，各自设定为第1厚度，由此输出共同的波长的光的多个n侧阱层；和在从接近所述p型半导体层的一侧到所述n侧阱层之间设置多个，各自设定为比所述第1厚度大的厚度并且具有与所述n侧阱层不同的组成，由此各自输出所述共同的波长的光的多个p侧阱层。