[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体结构，该半导体结构包括：第一接触塞和至少两个栅堆叠结构，各所述栅堆叠结构形成于有源区或隔离区上，各所述栅堆叠结构均包括金属栅极；所述第一接触塞夹于各所述栅堆叠结构之间，所述第一接触塞材料与所述金属栅极材料相同；所述第二接触塞位于部分所述第一接触塞和部分所述栅堆叠结构之上。相应地，本发明还提供了一种半导体结构的制造方法。本发明利于扩大形成接触塞时的工艺窗口，以及在形成接触孔的过程中有效地防止过刻现象的出现。

主权项

一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：在半导体基底(100)上形成至少两个栅堆叠基体和侧墙(106)，各所述栅堆叠基体形成于有源区或隔离区(101)上，各所述栅堆叠基体包括栅介质层(102)和伪栅(104)，所述伪栅(104)经所述栅介质层(102)形成于所述半导体基底(100)上，所述侧墙(106)环绕所述伪栅(104)和所述栅介质层(102)或者所述侧墙(106)形成于所述栅介质层(102)上且环绕所述伪栅(104)；形成材料层(140)，所述材料层(140)暴露所述伪栅(104)和所述侧墙(106)并夹于各所述栅堆叠基体之间；去除所述伪栅(104)和所述材料层(140)，以形成凹槽(108)；以第一导电材料(160)填充所述凹槽(108)后，平坦化所述第一导电材料(160)，以暴露所述侧墙(106)；断开所述侧墙(106)外围的所述第一导电材料(160)，以形成至少两个导电体，各所述导电体只接于所述侧墙(106)外围一侧的所述有源区，并形成栅堆叠结构和第一接触塞；以及在所述栅堆叠结构和第一接触塞上形成第二接触塞。