[发明专利]一种薄膜LED外延芯片的制造方法有效
| 申请号： | 201310223716.3 | 申请日： | 2013-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN103296155A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 刘凤全;叶继春 | 申请（专利权）人： | 刘凤全 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/683 |
| 代理公司： | 张家港市高松专利事务所(普通合伙) 32209 | 代理人： | 孙高 |
| 地址： | 美国加利福尼*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜LED外延芯片的制造方法，包括提供一个基底、在基底上形成牺牲层；在牺牲层上形成外延层；在外延层上形成若干个有效金属体，各有效金属体之间存在刻蚀间隙；以各有效金属体作为掩膜，纵向刻蚀处于刻蚀间隙中的外延层直至露出牺牲层，外延层被刻蚀成多个外延芯片；在各有效金属体上形成带有若干通孔的支持层；刻蚀牺牲层以剥离基底，使外延层另一个面裸露，支持层支撑各外延芯片；在每个外延芯片的另一个面上形成金属电极；从支持层上释放外延芯片。该方法将外延层分割成若干个LED外延芯片，刻蚀液可以通过支撑层的通孔分散到外延芯片周围与牺牲层接触，达到快速剥离的效果，同时也提高了外延芯片的合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 led 外延 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜LED外延芯片的制造方法，包括：A．提供一个基底；B.在基底上形成牺牲层；C．在牺牲层上形成外延层；D.在外延层上形成若干个有效金属体，各有效金属体之间存在刻蚀间隙；E.以各有效金属体作为掩膜，纵向刻蚀处于刻蚀间隙中的外延层直至露出牺牲层，外延层被刻蚀成多个外延芯片；F．在各有效金属体表面上形成带有若干通孔的支持层；G.刻蚀牺牲层以剥离基底，使外延层的另一个面裸露，支持层支撑各外延芯片；H．在每个外延芯片的另一个面上形成金属电极；I.从支持层上释放外延芯片。
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