[发明专利]岛膜自封装结构的硅-玻璃微压力传感器芯片及制造方法有效
| 申请号： | 201310220922.9 | 申请日： | 2013-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN103278270A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 伞海生;许辉明;陈然斌;余煜玺 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | G01L1/20 | 分类号： | G01L1/20;H01L41/22 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 岛膜自封装结构的硅-玻璃微压力传感器芯片及制造方法，涉及微压力传感器。提供一种不仅可靠性较高，而且适用于潮湿、酸碱、静电等恶劣环境下的岛膜自封装结构的硅-玻璃微压力传感器芯片及制造方法。所述岛膜自封装结构的硅-玻璃微压力传感器芯片设有感压薄膜和带空腔的底座；感压薄膜为正面岛膜复合结构，在岛膜复合结构的应力最大的集中区设有4个压敏电阻，4个压敏电阻通过金属电极构成惠斯登电桥，采用硅-玻璃阳极键合工艺将惠斯登电桥密封于密闭绝压腔内，所述惠斯登电桥通过金属引线将界面预置电极与外部测试设备连接，构成一个完整的压力敏感和测量系统。SOI晶圆片上的工艺制作；基底部分的制备；键合及后续工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 结构 玻璃 压力传感器 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
岛膜自封装结构的硅‑玻璃微压力传感器芯片，其特征在于设有感压薄膜和带空腔的底座；所述感压薄膜为正面岛膜复合结构，在岛膜复合结构的应力最大的集中区设有4个压敏电阻，所述4个压敏电阻通过金属电极构成惠斯登电桥，采用硅‑玻璃阳极键合工艺将惠斯登电桥密封于密闭绝压腔内，所述惠斯登电桥通过金属引线将界面预置电极与外部测试设备连接，构成一个完整的压力敏感和测量系统。
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