[发明专利]利用MCU之EEPROM进行双频率逆变器过载点设定电路及方法

摘要

本发明公开了利用MCU之EEPROM进行双频率逆变器过载点设定电路及方法，该电路包括H桥电路、电压放大电路、电压检测电路、记忆电路、控制电路和功率管驱动电路，H桥电路与放大电路连接，放大电路的输出端与电压检测电路连接，电压检测电路与控制电路连接，控制电路通过记忆电路与电压检测电路连接，控制电路通过功率管驱动电路驱动H桥电路；该方法利用上述的电路装置，通过短接跳线帽，连接负载，按下按钮开关来设定过载点，并将得到的数据存储于EEPROM存储单元。

主权项

利用MCU之EEPROM进行双频率逆变器过载点设定电路，其特征在于包括H桥电路、电压放大电路、电压检测电路、记忆电路、控制电路和功率管驱动电路，所述的H桥电路包括第一功率MOSFET管、第二功率MOSFET管、第三功率MOSFET管与第四功率MOSFET管，所述的第一功率MOSFET管的漏极与第三功率MOSFET管的漏极都与逆变器变换后的直流高压输出端相连，第二功率MOSFET管的源级与第四功率MOSFET管的源级相连后通过采样电阻接地，第一功率MOSFET管的源级与第二功率MOSFET管的漏极相连，第一功率MOSFET管与第二功率MOSFET管之间的连接节点连接到AC输出火线端，第三功率MOSFET管的源级与第四功率MOSFET管的漏极相连，第三功率MOSFET管与第四功率MOSFET管之间的连接节点连接到AC输出零线端；所述的第二功率MOSFET管的源级与电压放大电路的输入端连接，电压放大电路的输出端与电压检测电路连接，所述的电压检测电路与控制电路连接，所述的控制电路通过记忆电路与电压检测电路连接，控制电路通过功率管驱动电路驱动H桥电路，所述的控制电路外接跳线帽后接地，所述的控制电路外接按钮开关后接地。