[发明专利]半导体存储器装置和相关的操作方法

摘要

本发明公开了半导体存储器装置和相关的操作方法。一种半导体存储器装置包括单元阵列，该单元阵列包括一个或多个存储体组，其中，该一个或多个存储体组的每一个包括多个存储体，并且该多个存储体的每一个包括多个自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)单元。该半导体存储器装置进一步包括：源极电压生成部件，用于向连接到该多个STT-MRAM单元的该每一个的源极线施加电压；以及命令解码器，用于解码来自外部来源的命令，以便对于该多个STT-MRAM单元执行读取和写入操作。该命令包括行地址选通(RAS)、列地址选通(CAS)、芯片选择信号(CS)、写入启用信号(WE)和时钟启用信号(CKE)中的至少一个信号的组合。

主权项

一种半导体存储器装置，包括：单元阵列，所述单元阵列包括一个或多个存储体组，其中，所述一个或多个存储体组的每一个包括多个存储体，并且所述多个存储体的每一个包括多个自旋转移力矩磁阻随机存取存储器STT‑MRAM单元；源极电压生成部件，所述源极电压生成部件用于向源极线施加电压，所述源极线连接到所述多个STT‑MRAM单元的所述每一个；以及命令解码器，所述命令解码器用于解码来自外部来源的命令，以便对于所述多个STT‑MRAM单元执行读取和写入操作，其中，所述多个STT‑MRAM单元的每一个包括单元晶体管和磁隧道结MTJ装置，所述磁隧道结MTJ装置包括堆叠的自由层、隧道层和钉扎层，其中所述隧道层位于所述自由层和所述钉扎层之间，并且其中，所述单元晶体管的栅极连接到字线，所述单元晶体管的第一电极经由所述MTJ装置连接到位线，并且所述单元晶体管的第二电极连接到所述源极线，以及其中，所述命令包括行地址选通(RAS)、列地址选通(CAS)、芯片选择信号(CS)、写入启用信号(WE)和时钟启用信号(CKE)中的至少一个信号的组合。