[发明专利]一种变埚比的单晶硅生长方法有效
| 申请号： | 201310211852.0 | 申请日： | 2013-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103305905A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 孙新利 | 申请（专利权）人： | 浙江长兴众成电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 杭州华鼎知识产权代理事务所(普通合伙) 33217 | 代理人： | 秦晓刚 |
| 地址： | 313100 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种变埚比的单晶硅生长方法，单晶硅在坩埚中生长，待单晶硅进入等径生长后，调整坩埚埚比不断增加，进行变埚比单晶硅生长。本发明通过变埚比可以缓慢提高单晶界面生长液位，有效加速熔体自然热对流，保持熔体中氧含量浓度，有效提高单晶硅轴向氧含量一致性，操作方便，适合工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种变埚比的单晶硅生长方法，单晶硅在坩埚中生长，其特征在于：待单晶硅进入等径生长后，调整坩埚埚比不断增加，进行变埚比单晶硅生长。
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