[发明专利]形成通孔结构、制造图像传感器和集成电路器件的方法

摘要

本发明公开了形成通孔结构、制造图像传感器和集成电路器件的方法。提供了制造包括通孔结构的集成电路器件的方法。该方法可以包括形成穿过衬底的隔离槽以形成由隔离槽围绕的内部衬底；以及在隔离槽中以及在衬底的表面上形成绝缘层。该方法还可以包括形成孔，该孔与隔离槽间隔开并穿过绝缘层的形成于衬底的表面上的部分和内部衬底；以及在孔中和在形成于衬底的表面上的绝缘层上形成导电层。该方法可以用于制造图像传感器。

主权项

一种形成硅通孔结构的方法，包括：形成绝缘层间结构，该绝缘层间结构包括在半导体层的第一面上的绝缘夹层和在所述绝缘夹层上的内部布线；通过形成穿过所述半导体层的隔离槽，形成外部半导体图案和与所述外部半导体图案隔离的内部半导体图案，所述隔离槽围绕所述内部半导体图案并暴露所述绝缘夹层；形成覆盖所述半导体层的第二面和所述隔离槽的内表面的绝缘图案，所述第二面与所述半导体层的所述第一面相反；形成与所述隔离槽间隔开并穿过所述内部半导体图案的通孔，其中所述通孔的上部被所述绝缘图案的覆盖所述半导体层的所述第二面的部分围绕；以及在所述通孔中形成接触所述内部布线的硅通孔接触件，其中形成所述隔离槽包括蚀刻所述绝缘夹层的一部分以使所述隔离槽的下部设置在所述绝缘夹层中。