[发明专利]一种抗高温氧化薄膜传感器及其生产方法有效

专利信息
申请号: 201310207942.2 申请日: 2013-05-30
公开(公告)号: CN103266320A 公开(公告)日: 2013-08-28
发明(设计)人: 蒋洪川;吴勐;陈寅之;蒋书文;刘兴钊;张万里 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C23C28/00 分类号: C23C28/00
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 李明光
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于抗高温氧化薄膜传感器及其生产方法。其薄膜传感器包括待测合金基板及附着于其顶面的NiCrAlY合金过渡层,过渡层以上依次为氧化铝/氮化铝过渡层、氧化铝/氮化铝陶瓷绝缘层、由各电极组成的传感器功能层及其Si3N4隔离层以及设于隔离层上的氧化铝保护层;其生产方法包括合金基板的表面处理,在合金基板上沉积NiCrAlY合金过渡层,金属铝的析出,氧化或氮化处理,设置Al2O3/AlN陶瓷绝缘层,设置薄膜传感器功能层及其Si3N4隔离层,设置Al2O3保护层。该发明中设置的Si3N4隔离层能有效阻挡绝缘层及氧化铝保护层在高温环境下分解出的氧原子向功能层的扩散,提高传感器在高温高压工作环境下使用的稳定性和可靠性,为涡轮发动机的研究和设计提供相应的、更为精确的基础数据。
搜索关键词: 一种 高温 氧化 薄膜 传感器 及其 生产 方法
【主权项】:
一种抗高温氧化薄膜传感器,包括待测合金基板及附着于其顶面的NiCrAlY(镍铬铝钇)合金过渡层,过渡层以上依次为氧化铝/氮化铝过渡层、氧化铝/氮化铝陶瓷绝缘层、由各电极组成的传感器功能层及其Si3N4隔离层以及设于隔离层上的氧化铝保护层,关键在于当绝缘层为Al2O3时,在Al2O3绝缘层与Al2O3保护层之间设置Si3N4隔离层,而传感器功能层中的各电极则分别设于隔离层内;当绝缘层为AlN时,传感器功能层中各电极设于AlN绝缘层上后,在AlN绝缘层和功能层的各电极与Al2O3保护层之间设置Si3N4隔离层;其中NiCrAlY合金过渡层通过磁控溅射方法沉积于金属基板顶面,Al2O3/AlN过渡层由NiCrAlY合金过渡层析出的金属铝经直接氧化或氮化处理而成,Al2O3/AlN绝缘层则分别与相应的Al2O3过渡层或AlN过渡层紧密连接,隔离层或通过化学气相沉积于Al2O3绝缘层上、而功能层中各电极设于该隔离层内或通过化学气相沉积直接沉积于AlN绝缘层及功能层中各电极上,Al2O3保护层则蒸镀于隔离层的上表面。
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