[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201310206838.1 | 申请日： | 2013-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN103311304A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | F·希尔勒;A·梅泽 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/808 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;卢江 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件。本文描述的是垂直功率晶体管的实施例，该垂直功率晶体管具有位于半导体基底的相同侧上的漏端和栅端，并在关断状态中能够耐受高电压，特别是超过100V的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体基底，包括第一表面、与第一表面相对的第二表面、第一区域和在半导体基底的横向方向上邻接第一区域的第二区域；处于第一区域中的至少一个器件单元，包括源极区、基底区、漂移区、漏极区和栅电极；与源极区连接并被布置在第一表面上的源电极，与漏极区连接并被布置在第二表面上的漏电极；第一过孔，在半导体基底的垂直方向上延伸，与第二区域电绝缘，并与至少一个器件单元的栅电极电连接；栅端电极，被布置在第二表面上并与该第一过孔电连接；第二区域中的边缘终止结构，该边缘终止结构包括与漂移区具有相同掺杂类型且在横向方向上邻接漂移区的第一终止区域和具有与第一终止区域的掺杂类型互补的掺杂类型的第二终止区域；其中第二终止区域电耦合至源电极，在横向方向上被布置为远离漂移区和漏极区并被布置为相比于与第一表面的距离更接近于第二表面。
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