[发明专利]半导体封装件的制法有效
| 申请号： | 201310206617.4 | 申请日： | 2013-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN104183505B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 陈彦亨;林畯棠;詹慕萱;纪杰元;廖宴逸 | 申请（专利权）人： | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体封装件的制法，包括提供一承载件；设置至少一半导体组件于该承载件上；形成绝缘层于该承载件与半导体组件上；移除该承载件；形成压合件于该绝缘层上；以及形成线路重布结构于该半导体组件上。藉由形成该压合件，以抑制该绝缘层的内部应力，而改善该绝缘层的边缘翘曲程度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 制法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装件的制法，包括：提供一承载件；设置至少一半导体组件于该承载件上，该半导体组件具有相对的主动面与非主动面，该主动面上具有多个电极垫，且该主动面接至该承载件上；形成绝缘层于该承载件与半导体组件上，且该绝缘层具有相对的第一表面与第二表面，该第一表面结合至该承载件上，又该绝缘层定义有包围该半导体组件的压合区；移除该承载件，以露出该绝缘层的第一表面与该半导体组件的主动面；形成压合件于该绝缘层的压合区上；以及形成线路重布结构于该半导体组件的主动面与该绝缘层的第一表面上，且该线路重布结构电性连接该些电极垫。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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