[发明专利]多晶硅薄膜层淀积方法有效
| 申请号： | 201310202352.0 | 申请日： | 2013-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN103320855A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 许忠义 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/14 | 分类号： | C30B28/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张亚利;骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种多晶硅薄膜层淀积方法，包括：提供基底，同一所述基底表面形成有不同材料层，各材料层位于不同区域，或者，至少两个所述基底表面形成有不同的材料层；将所述基底放入反应腔；往所述反应腔内通入预淀积气体，进行预淀积，在所述基底上形成第一多晶硅薄膜层；其中所述预淀积气体包括稀释气体和含硅气体，所述含硅气体的体积比为1%-50%，所述预淀积气体的流速为100-1000sccm；往所述反应腔内通入主淀积气体，进行主淀积，在所述第一多晶硅薄膜层上形成第二多晶硅薄膜层，所述主淀积气体为含硅气体或包括含硅气体与稀释气体。通过该多晶硅薄膜层淀积方法，可以得到厚度精确和厚度均一的多晶硅薄膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 层淀积 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅薄膜层淀积方法，其特征在于，包括：提供基底，同一所述基底表面形成有不同材料层，各材料层位于不同区域，或者，至少两个所述基底表面形成有不同的材料层；将所述基底放入反应腔；往所述反应腔内通入预淀积气体，进行预淀积，在所述基底上形成第一多晶硅薄膜层；其中所述预淀积气体包括稀释气体和含硅气体，所述含硅气体的体积比为1%‑50%，所述预淀积气体的流速为100‑1000sccm；往所述反应腔内通入主淀积气体，进行主淀积，在所述第一多晶硅薄膜层上形成第二多晶硅薄膜层，所述主淀积气体为含硅气体或包括含硅气体与稀释气体。
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