[发明专利]一种单芯片集成温度补偿的薄膜体声波谐振器无效
| 申请号： | 201310202126.2 | 申请日： | 2013-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN103326689A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 董树荣;卞晓磊;胡娜娜;郭维 | 申请（专利权）人： | 江苏艾伦摩尔微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市昆*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单芯片集成温度补偿的薄膜体声波谐振器，设置一个直流偏压单元为薄膜体声波谐振器提供偏压电压，直流偏压单元输出端分别连接内嵌肖特基结的薄膜体声波谐振器的上、下电极，直流偏压单元与薄膜体声波谐振器集成在一个硅片CELL单元内。偏压装置施加一定偏压给薄膜体声波谐振器，改变肖特基势垒二极管电容和电导，从而补偿FBAR本身谐振频率的温飘。本发明对薄膜体声波谐振器由于温度引起的频率偏差实现了有效甚至无偏补偿，可以克服由于温度变化引起的各种系统误差的问题，提高了FBAR在无线通信和传感器方面应用的可靠性。采用CMOS集成技术实现单芯片的温补薄膜体声波谐振器，结构简单，实现方式灵活，应用广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 集成 温度 补偿 薄膜 声波 谐振器 | ||
【主权项】：
一种单芯片集成温度补偿的薄膜体声波谐振器，其特征在于，设置一个直流偏压单元为薄膜体声波谐振器提供偏压电压，所述的直流偏压单元输出端分别连接内嵌肖特基结的薄膜体声波谐振器的上、下电极，所述直流偏压单元与薄膜体声波谐振器集成在一个硅片CELL单元内。
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