[发明专利]带有反射器的光电池装置及其形成方法无效
| 申请号: | 201310196242.8 | 申请日: | 2013-05-24 |
| 公开(公告)号: | CN103426888A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
| 发明(设计)人: | G·S·斯宾塞;J·R·阿尔维斯;陈萧辉;J·F·奥卡特;S·G·昆达尔古尔基 | 申请(专利权)人: | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L31/0232;H01L31/18 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 刘倜 |
| 地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 一种光电池装置(10)包括衬底(12),所述衬底具有穿过该衬底的开口(54,56)。光电池装置还包括位于包括所述开口的所述衬底之上的绝缘层(14)。光电池装置还包括位于所述绝缘层上的有源层(16,18)。光电池装置还包括形成于所述有源层中的光敏器件(20,22,24),其中所述光敏器件位于所述开口之上。光电池装置还包括形成于所述有源层(11)中的有源电子电路(26)。光电池装置还包括位于所述开口中在所述绝缘层上的反射层(62)。 | ||
| 搜索关键词: | 带有 反射 光电池 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种光电池装置,包括:衬底,具有穿过所述衬底的开口;绝缘层,位于所述衬底包括所述开口之上;有源层,位于所述绝缘层之上;光敏器件,形成于所述有源层中,其中所述光敏器件位于所述开口之上;有源电子电路,形成于所述有源层中;以及反射层,在所述开口中位于所述绝缘层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





