[发明专利]带有反射器的光电池装置及其形成方法无效

专利信息
申请号: 201310196242.8 申请日: 2013-05-24
公开(公告)号: CN103426888A 公开(公告)日: 2013-12-04
发明(设计)人: G·S·斯宾塞;J·R·阿尔维斯;陈萧辉;J·F·奥卡特;S·G·昆达尔古尔基 申请(专利权)人: 飞思卡尔半导体公司
主分类号: H01L27/144 分类号: H01L27/144;H01L31/0232;H01L31/18
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 刘倜
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种光电池装置(10)包括衬底(12),所述衬底具有穿过该衬底的开口(54,56)。光电池装置还包括位于包括所述开口的所述衬底之上的绝缘层(14)。光电池装置还包括位于所述绝缘层上的有源层(16,18)。光电池装置还包括形成于所述有源层中的光敏器件(20,22,24),其中所述光敏器件位于所述开口之上。光电池装置还包括形成于所述有源层(11)中的有源电子电路(26)。光电池装置还包括位于所述开口中在所述绝缘层上的反射层(62)。
搜索关键词: 带有 反射 光电池 装置 及其 形成 方法
【主权项】:
一种光电池装置,包括:衬底,具有穿过所述衬底的开口;绝缘层,位于所述衬底包括所述开口之上;有源层,位于所述绝缘层之上;光敏器件,形成于所述有源层中,其中所述光敏器件位于所述开口之上;有源电子电路,形成于所述有源层中;以及反射层,在所述开口中位于所述绝缘层上。
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