[发明专利]准单晶硅太阳能电池片的制造方法

摘要

本发明涉及一种准单晶硅太阳能电池片的制造方法。该制造方法引进准单晶硅作为太阳能电池片的基材，在传统单晶、多晶硅太阳能电池片制造方法的基础上，通过提高硅片的腐蚀量，使得制绒处理后的硅片的表面反射率由26%降至21%；通过调整扩散工序，使得扩散处理后硅片的方块电阻提高至75Ω/□以上；另外，在重掺杂扩散之后再借助激光实现硅片边缘部分PN结的隔离，简化了硅片的定位过程，提高产品的生产效率；与此同时，配合设计的新型电极栅线既降低了正银浆料的印刷耗费量，又降低了电池片的遮光面积，提高了开路电压和短路电流；这些因素共同作用使得电池片的光电转化效率达到17.80%以上，实现了意想不到的技术效果。

主权项

一种准单晶硅太阳能电池片的制造方法，其特征在于依次包括以下步骤：S1. 制绒工序：在准单晶硅片表面制作绒面并清洗，使准单晶硅片的单片腐蚀克重达到0.42~0.60g；S2. 扩散工序：将制绒后的准单晶硅片送入扩散炉中进行轻掺杂扩散处理，再以扩散形成的磷硅玻璃为掺杂源，利用激光按照正电极栅线图案对轻掺杂扩散处理后的准单晶硅表面进行重掺杂扩散处理；S3. 清洗：将扩散处理后的准单晶硅片浸渍在氢氟酸中以去除扩散工序后在硅片表面形成的机械损伤层以及残余磷硅玻璃；S4. 沉积减反射膜：在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜；S5. 丝网印刷：通过丝网印刷制作背电极、背电场以及所述正电极栅线；S6. 烧结：通过烧结使电极固定地粘附在准单晶硅片上并形成欧姆接触；其中，在步骤S2中重掺杂扩散之后，还需要进行隔离或去除硅片边缘的PN结处理。