[发明专利]一种晶体硅/硅基薄膜叠层电池的制备方法

摘要

本发明提供一种晶体硅/硅基薄膜叠层电池的制备方法，该方法包括以下步骤：在n型硅片上形成硼（Boron）扩散p层；除边隔离，并去除硼硅玻璃；在所述B扩散层上形成n‑i‑p结构；在所述n型硅片的背面沉积第二非晶硅n型层；在所述n‑i‑p结构上形成第一掺硼氧化锌薄膜，在所述第二非晶硅n型层上形成第二掺硼氧化锌薄膜；在所述n型硅片的背面形成背电极，在所述n型硅片的正面形成正电极。采用本发明提供的制备方法，工艺简单，生产成本低，且得到的太阳能电池具有良好的光陷作用和较高的光电转换效率。

主权项

一种晶体硅/硅基薄膜叠层电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a)在n型硅片上形成B扩散层；b)除边隔离，并去除硼硅玻璃；c)在所述B扩散层上形成n‑i‑p结构；d)在所述n型硅片的背面沉积第二非晶硅n型层；e)在所述n‑i‑p结构上形成第一掺硼氧化锌薄膜，在所述第二非晶硅n型层上形成第二掺硼氧化锌薄膜；f)在所述n型硅片的背面形成背电极，在所述n型硅片的正面形成正电极；其中，所述步骤c)进一步包括：c1)在所述B扩散层上形成第一非晶硅n型层；c2)在所述第一非晶硅n型层上形成本征微晶硅i层；c3)在所述本征微晶硅i层上形成微晶硅p型层。