[发明专利]晶体管的形成方法

摘要

一种晶体管的形成方法，包括提供衬底，所述衬底表面具有栅极结构；在所述栅极结构两侧的衬底内形成开口；在所述开口内形成应力层，所述应力层的表面等于或高于衬底表面；在所述应力层表面形成阻挡层；在形成阻挡层之后，在栅极结构两侧的衬底和应力层内形成源区和漏区；在形成源区和漏区之后，对所述衬底、栅极结构和应力层进行化学湿法清洗工艺。所形成的晶体管中的应力层形貌良好，晶体管性能稳定。

主权项

一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有栅极结构，所述栅极结构包括：位于衬底表面的栅介质层；位于栅介质层表面的栅电极层；位于栅介质层和栅电极层两侧的衬底表面的伪侧墙；在所述栅极结构两侧的衬底内形成开口；在所述开口内形成应力层，所述应力层的表面等于或高于衬底表面；在所述应力层表面形成硅层；在形成硅层之后，去除所述伪侧墙；在去除所述伪侧墙之后，形成覆盖所述应力层的侧壁、以及硅层的侧壁和顶部表面的阻挡层；去除衬底表面的阻挡层；在去除衬底表面的阻挡层之后，在栅极结构两侧的衬底表面形成第二侧墙；在形成第二侧墙之后，在衬底和栅极结构表面形成光刻胶层，所述光刻胶层暴露出需要形成源区和漏区的位置；以所述光刻胶层掩膜，采用离子注入工艺在栅极结构两侧的应力层或衬底内形成源区和漏区；在形成源区和漏区之后，去除所述光刻胶层；在去除所述光刻胶层之后，对所述衬底、栅极结构和应力层进行化学湿法清洗工艺。