[发明专利]一种半导体-金属-半导体叠层结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201310188487.6 | 申请日： | 2013-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN103474454A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 吴东平;张世理;许鹏;周祥标 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L21/18 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体-金属-半导体叠层结构的制备方法，该方法通过在单晶半导体衬底上先制备超薄的单晶金属半导体化合物薄膜，再在单晶金属半导体化合物薄膜上制备单晶或多晶半导体薄膜，从而得到了由单晶半导体衬底、位于单晶半导体衬底上的超薄单晶金属硅化物薄膜、以及位于单晶金属硅化物薄膜上的单晶或多晶半导体薄膜构成的叠层结构，该方法简单可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 金属 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体‑金属‑半导体叠层结构的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：提供单晶半导体衬底；在所述单晶半导体衬底上制备单晶金属半导体化合物薄膜；以及在所述单晶金属半导体化合物薄膜上制备单晶半导体薄膜或多晶半导体薄膜。
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