[发明专利]一种碳化硅沟槽型JFET的制作方法

摘要

本发明公开了一种碳化硅沟槽型JFET的制作方法，该方法包括如下步骤：在SiC第一导电类型的衬底上依次外延生长第一导电类型的漂移层、沟道层和帽子层；在帽子层上淀积第一掩膜层并形成掩膜图形；以第一掩膜层作为掩膜，刻蚀帽子层和沟道层至漂移层形成沟槽；各向同性地淀积第二掩膜层；各向异性法地刻蚀去除沟槽底部和第一掩膜层上的第二掩膜层；对暴露的漂移层进行离子注入，在漂移层中形成第二导电类型的离子注入区以与漂移层形成pn二极管；去除剩余的掩膜层并淀积隔离层；用光刻的方法至少部分地去除帽子层和沟槽底部的隔离层；在衬底上，暴露的帽子层和暴露的离子注入区中形成欧姆接触。所述方法能够防止沟道因离子注入产生损伤和缺陷。

主权项

一种碳化硅沟槽型JFET的制作方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：在SiC第一导电类型的衬底（710）上依次外延生长第一导电类型的漂移层（712）、第一导电类型的沟道层（713）和第一导电类型的帽子层（714）；在帽子层（714）上淀积第一掩膜层（720），并在该第一掩膜层中形成掩膜图形；将形成有掩膜图形的第一掩膜层作为掩膜，刻蚀所述帽子层（714）和沟道层（713）至所述漂移层（712）或略微进入所述漂移层（712），形成沟槽；采用各向同性方法在所述沟槽底部、沟道侧壁和第一掩膜层（720）上淀积第二掩膜层（721）；采用各向异性法刻蚀去除沟槽底部和第一掩膜层（720）上的第二掩膜层（721）；对暴露的漂移层（712）进行离子注入，在漂移层（712）中形成第二导电类型的离子注入区（715）以与漂移层（712）形成pn二极管，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；去除剩余的第一掩膜层和第二掩膜层（721）以暴露帽子层、沟槽底部和沟道侧壁；对得到的结构进行高温退火；在暴露的帽子层（714）上、沟槽底部（715，716）和沟道侧壁上淀积隔离层（740）；用光刻的方法至少部分地去除帽子层上和沟槽底部的隔离层，以至少部分地暴露每一帽子层和每一离子注入区；分别在衬底（710）的远离漂移层（712）的一侧，暴露的帽子层和暴露的离子注入区上形成欧姆接触。