[发明专利]具有金属‑绝缘体‑金属电容器的封装件及其制造方法

摘要

本发明公开了具有金属‑绝缘体‑金属电容器的封装件及其制造方法。具体来说，本发明公开了一种封装件包括芯片，该芯片具有在第一聚合物层中形成的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器和在MIM电容器上形成的金属柱。模塑料围绕芯片，第二聚合物层在芯片和模塑料上形成，第三聚合物层在第二聚合物层上形成，互连结构在第二聚合物层和第三聚合物层之间形成并且与金属柱和MIM电容器电连接，并且凸块在互连结构的上方形成并且与互连结构电连接。

主权项

一种封装件，包括：芯片，包括形成在第一聚合物层中的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器和形成在所述金属‑绝缘体‑金属电容器上的第一金属柱以及位于所述芯片的衬底上的接触焊盘，其中，所述金属‑绝缘体‑金属电容器未形成在所述接触焊盘上，所述金属‑绝缘体‑金属电容器包括下金属层、上金属层以及形成在所述下金属层和所述上金属层之间的电容器介电层，所述下金属层的一端与所述上金属层和所述电容器介电层的端部对齐，所述下金属层的另一端在所述电容器介电层下方延伸越过所述上金属层和所述电容器介电层；围绕所述芯片的模塑料；第二聚合物层，形成在所述芯片和所述模塑料上；第三聚合物层，形成在所述第二聚合物层上；互连结构，形成在所述第二聚合物层和所述第三聚合物层之间并且与所述第一金属柱和所述金属‑绝缘体‑金属电容器电连接；凸块，形成在所述互连结构上方并且与所述互连结构电连接；第二金属柱，直接形成在所述下金属层未被所述上金属层和所述电容器介电层覆盖的延伸部分上并且通过所述第一聚合物层与所述电容器介电层分隔开；以及第三金属柱，位于所述第一聚合物层中并且与所述接触焊盘直接接触；其中，所述第一金属柱、所述第二金属柱和所述第三金属柱具有通过单个工艺步骤形成的分别从相应金属柱的底面直线延伸的侧壁。