[发明专利]一种背照图像传感器的制造方法有效

专利信息
申请号: 201310182844.8 申请日: 2013-05-16
公开(公告)号: CN103280449A 公开(公告)日: 2013-09-04
发明(设计)人: 张文奇 申请(专利权)人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 常亮
地址: 214135 江苏省无锡市菱*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种背照图像传感器的制造方法,包括:在中间晶圆的第一表面上制备TSV和微凸点;在BSI晶圆的第一表面上制备和微凸点匹配的金属互连;将中间晶圆的第一表面和BSI晶圆的第一表面进行面对面键合;将中间晶圆进行减薄;在中间晶圆的第二表面上刻蚀露出TSV并制备凸点;在中间晶圆的第二表面上键合辅助晶圆;将BSI晶圆进行减薄;在BSI晶圆上完成背照图像传感器模块的后续制程;去除中间晶圆第二表面上的辅助晶圆;划片并键合至基板上。本发明中通过晶圆面对面键合,键合后可以利用BSI晶圆做载体来减薄模拟晶圆,省却了一次辅助晶圆的临时键合与去键合,可以降低成本;把不同模块进行三维堆叠,可以减小芯片面积,加快信号传输速度。
搜索关键词: 一种 图像传感器 制造 方法
【主权项】:
一种背照图像传感器的制造方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:S1、在含模拟信号处理电路的中间晶圆的第一表面上制备TSV和微凸点;S2、在含背照图像传感器模块的BSI晶圆的第一表面上制备和微凸点匹配的金属互连;S3、将中间晶圆的第一表面和BSI晶圆的第一表面进行面对面键合;S4、以BSI晶圆为载体将中间晶圆从中间晶圆的第二表面处进行减薄;S5、在中间晶圆的第二表面上刻蚀露出TSV并制备凸点;S6、在中间晶圆的第二表面上键合辅助晶圆;S7、以辅助晶圆和中间晶圆为载体将BSI晶圆从BSI晶圆的第二表面处进行减薄;S8、在BSI晶圆上完成背照图像传感器模块的后续制程;S9、去除中间晶圆第二表面上的辅助晶圆;S10、划片得到键合后的中间芯片和BSI芯片,并将键合后的中间芯片和BSI芯片键合至基板上。
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