[发明专利]一种背照图像传感器的制造方法有效
申请号: | 201310182844.8 | 申请日: | 2013-05-16 |
公开(公告)号: | CN103280449A | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 张文奇 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 常亮 |
地址: | 214135 江苏省无锡市菱*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种背照图像传感器的制造方法,包括:在中间晶圆的第一表面上制备TSV和微凸点;在BSI晶圆的第一表面上制备和微凸点匹配的金属互连;将中间晶圆的第一表面和BSI晶圆的第一表面进行面对面键合;将中间晶圆进行减薄;在中间晶圆的第二表面上刻蚀露出TSV并制备凸点;在中间晶圆的第二表面上键合辅助晶圆;将BSI晶圆进行减薄;在BSI晶圆上完成背照图像传感器模块的后续制程;去除中间晶圆第二表面上的辅助晶圆;划片并键合至基板上。本发明中通过晶圆面对面键合,键合后可以利用BSI晶圆做载体来减薄模拟晶圆,省却了一次辅助晶圆的临时键合与去键合,可以降低成本;把不同模块进行三维堆叠,可以减小芯片面积,加快信号传输速度。 | ||
搜索关键词: | 一种 图像传感器 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种背照图像传感器的制造方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:S1、在含模拟信号处理电路的中间晶圆的第一表面上制备TSV和微凸点;S2、在含背照图像传感器模块的BSI晶圆的第一表面上制备和微凸点匹配的金属互连;S3、将中间晶圆的第一表面和BSI晶圆的第一表面进行面对面键合;S4、以BSI晶圆为载体将中间晶圆从中间晶圆的第二表面处进行减薄;S5、在中间晶圆的第二表面上刻蚀露出TSV并制备凸点;S6、在中间晶圆的第二表面上键合辅助晶圆;S7、以辅助晶圆和中间晶圆为载体将BSI晶圆从BSI晶圆的第二表面处进行减薄;S8、在BSI晶圆上完成背照图像传感器模块的后续制程;S9、去除中间晶圆第二表面上的辅助晶圆;S10、划片得到键合后的中间芯片和BSI芯片,并将键合后的中间芯片和BSI芯片键合至基板上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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