[发明专利]一种GaN基LED发光效率的量子阱垒层生长方法有效
| 申请号： | 201310180367.1 | 申请日： | 2013-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN103258923A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 李永 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230011 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种提高GaN基LED发光效率的量子阱垒层生长方法，该LED外延片结构中的发光层多量子阱从下往上依次包括低温浅量子阱、低温多量子阱发光层结构；其中低温多量子阱垒层采用高生长速率生长且垒阱温差保持在130℃左右，量子阱全部采用高压大于200Torr进行生长，具体生长方法为：第一量子阱垒层通入TMGa源代替TEGa源；第二量子阱垒层用TMGa代替TEGa后，为提高生长速率将TMGa源通入量加倍；第三垒层通入TMGa源加倍后，为维持整个量子阱层周期厚度不变，相应将垒层生长时间减半。本发明方法，有效获得高结晶质量、高发光效率的量子阱结构GaN基材料以及高发光强度的GaN系发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan led 发光 效率 量子 阱垒层 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种提高GaN基LED发光效率的量子阱垒层生长方法，该LED外延片结构从下向上的顺序依次为：衬底层、低温GaN缓冲层、未掺杂的高温GaN缓冲层、Si掺杂的n型GaN层、发光层多量子阱、低温p型GaN层、p型AlGaN电子阻挡层、高温p型GaN层、p型GaN接触层；发光层多量子阱从下往上依次包括低温浅量子阱、低温多量子阱发光层结构；其特征在于，其中低温多量子阱垒层采用高生长速率生长且垒阱温差保持在130℃左右，量子阱全部采用高压大于200Torr进行生长，具体生长方法为：第一量子阱垒层通入TMGa源代替TEGa源；第二量子阱垒层用TMGa代替TEGa后，为提高生长速率将TMGa源通入量加倍；第三垒层通入TMGa源加倍后，为维持整个量子阱层周期厚度不变，相应将垒层生长时间减半。
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