[发明专利]金属硬掩模开口刻蚀方法有效
| 申请号： | 201310180042.3 | 申请日： | 2013-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN104157556B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;张城龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属硬掩模开口刻蚀方法，至少包括以下步骤1）提供一基板，在所述基板表面自下向上依次形成金属硬掩模层、抗反射层及光阻层；2）进行光刻和显影，在所述光阻层中形成光刻图形以得到图案化光阻层；所述图案化光阻层包括凸起部分和凹陷部分，所述凹陷部分底部到达所述抗反射层表面；3）在所述图案化光阻层外表面沉积一隔离层，并对所述隔离层进行刻蚀，以在所述凸起部分的侧壁上形成预设厚度的侧墙；4）以所述图案化光阻层及所述侧墙为掩模，对所述抗反射层及金属硬掩模层进行刻蚀直至露出所述基板。本发明的金属硬掩膜开口刻蚀方法工艺简单，扩大了光刻工艺窗口，并可以改善光刻图形的线宽粗糙度。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 硬掩模 开口 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种金属硬掩模开口刻蚀方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1)提供一基板，在所述基板表面自下向上依次形成金属硬掩模层、抗反射层及光阻层；2)进行光刻和显影，在所述光阻层中形成光刻图形以得到图案化光阻层；所述图案化光阻层包括凸起部分和凹陷部分，所述凹陷部分底部到达所述抗反射层表面；利用修复气体对所述图案化光阻层表面进行修复，改善图形的线宽粗糙度；所述修复气体选自HBr、He及O2中的至少一种；3)在所述图案化光阻层外表面沉积一隔离层，并对所述隔离层进行刻蚀，以在所述凸起部分的侧壁上形成预设厚度的侧墙；4)以所述图案化光阻层及所述侧墙为掩模，对所述抗反射层及金属硬掩模层进行刻蚀直至露出所述基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
