[发明专利]一种光甘草定分子印迹聚合物及其制备方法和应用有效
申请号: | 201310178727.4 | 申请日: | 2013-05-14 |
公开(公告)号: | CN103224590A | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | 王晓;陈凌霄;纪文华;刘峰;耿岩玲;高乾善;刘建华;吕瑞敏 | 申请(专利权)人: | 山东省分析测试中心 |
主分类号: | C08F222/38 | 分类号: | C08F222/38;C08F222/14;C08F212/36;C08F220/56;C08F220/06;C08F226/06;C08F220/34;C08J9/26;B01J20/285;B01J20/30;B01D15/08 |
代理公司: | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人: | 杨琪 |
地址: | 250014 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明涉及一种光甘草定分子印迹聚合物及其制备方法和应用,以光甘草定为模板,将模板、功能单体、交联剂、引发剂、溶剂按质量比为1~3:2~8:15~30:0.05~0.2:20~50加入反应釜中混合,超声脱气,然后充氮除氧,密封后于40~60℃恒温水浴聚合10~24小时,得到带有模板分子光甘草定的分子印迹聚合物;得到的聚合物研磨、洗脱、烘干即得到用于提纯光甘草定的分子印迹聚合物。得到的光甘草定分子印迹聚合物做柱层析填料装柱在从光果甘草中提取光甘草定中的应用,选择性强、吸附量大、获得的光甘草定纯度高。 | ||
搜索关键词: | 一种 甘草 分子 印迹 聚合物 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
一种光甘草定分子印迹聚合物的制备方法,其特征是,包括步骤如下:(1)以光甘草定为模板,以丙烯酰胺、甲基丙烯酸、4‑乙烯基吡啶、乙烯基咪唑、N‑苯基甲基丙烯酰氯或乙醇胺酯化物(NOBE)为功能单体,将模板、功能单体、交联剂、引发剂、溶剂按质量比为1~3:2~8:15~30:0.05~0.2:20~50加入反应釜中混合,超声脱气5~25min,然后充氮除氧,密封后于40~60℃恒温水浴聚合10~24小时,得到带有模板分子光甘草定的分子印迹聚合物;(2)将步骤(1)得到的聚合物研磨过60~200目筛,得均匀带有模板分子光甘草定的分子印迹聚合物颗粒,用体积分数为10%~20%的乙酸甲醇溶液洗脱得到的带有模板分子光甘草定的分子印迹聚合物颗粒,真空下50~65℃烘干,即得到用于提纯光甘草定的分子印迹聚合物。
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