[发明专利]一种高压晶体管及其制备方法

摘要

本发明提供一种高压晶体管及其制备方法，该制备方法至少包括以下步骤在半导体衬底中的高压阱区上自下而上依次沉积形成栅氧化物层、第一多晶硅层及多晶硅间介质层；去除部分或全部多晶硅间介质层；制作第二多晶硅层；制作源区和漏区；沉积刻蚀阻挡层和绝缘膜层，所述刻蚀阻挡层和绝缘膜层覆盖所述第二多晶硅层、源区及漏区；分别制作暴露第二多晶硅层、源区及漏区的接触孔。本发明通过去除第一多晶硅层上的部分或全部多晶硅间介质层，之后制作接触孔于第二多晶硅层上，高压晶体管中起作用的多晶硅厚度为第一多晶硅层厚度与第二多晶硅层厚度的总和，这样就有效地增大了多晶硅层的厚度，更好地满足高压晶体管耐压能力和驱动能力等性能的要求。

主权项

一种高压晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括步骤：1)在半导体衬底中的高压阱区上自下而上依次沉积形成栅氧化物层、第一多晶硅层及多晶硅间介质层；2)采用刻蚀工艺去除所述第一多晶硅层上的部分多晶硅间介质层；3)在所述步骤2)获得的结构表面沉积第二多晶硅层，并在第一多晶硅层和第二多晶硅层两侧形成侧墙；4)在所述第一多晶硅层和第二多晶硅层两侧的高压阱区内离子注入形成源区和漏区；5)在所述半导体衬底上依次沉积刻蚀阻挡层和绝缘膜层，所述刻蚀阻挡层和绝缘膜层覆盖所述第二多晶硅层、源区及漏区；6)刻蚀所述刻蚀阻挡层和绝缘膜层，分别形成暴露所述第二多晶硅层、源区及漏区的第一接触孔、第二接触孔及第三接触孔，在所述接触孔中填塞导电材料后获得高压晶体管。