[发明专利]半导体气体传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201310177607.2 | 申请日： | 2013-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN103424458B | 公开（公告）日： | 2017-12-26 |
| 发明（设计）人： | 宇佐川利幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414;G01N27/26 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 杨宏军,王大方 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种上升响应速度快的半导体气体传感器及其制造方法。在Si层(5)上形成栅极绝缘膜(例如SiO2膜)(4)，在栅极绝缘膜(4)上形成改性TiOx(TiOx微晶)膜(1)。进而在改性TiOx膜(1)上形成Pt膜。该Pt膜由多个Pt晶粒(3)构成，在多个Pt晶粒(3)之间的晶粒边界间隙(7)存在Ti和氧(O)，特别是以晶粒边界(3)重心附近表面为中心形成TiOx微晶。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 气体 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体气体传感器，其特征在于，具备：(a)半导体层；(b)形成于所述半导体层上的栅极绝缘膜；(c)形成于所述栅极绝缘膜上的结晶膜；(d)形成于所述结晶膜上的栅电极；(e)形成于所述半导体层的源极区域；和(f)形成于所述半导体层的漏极区域，所述结晶膜包含掺氧的非晶Ti的区域和TiOx结晶，所述TiOx结晶在所述结晶膜中所占的比例为50％以上、100％以下，所述栅电极具有铂膜或铱膜，所述铂膜或所述铱膜由多个晶粒构成，在处于所述多个晶粒之间的晶粒边界区域存在氧和钛，其中，在形成所述栅极绝缘膜之后、形成所述结晶膜之前，在氢浓度或氘浓度被稀释为0.1％～3.5％的气氛中，进行热处理温度为380℃～1000℃的氢退火。
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