[发明专利]基于IBAD-MgO金属基带的简化隔离层及其制备方法无效
| 申请号： | 201310176921.9 | 申请日： | 2013-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN103215546A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 李贻杰;刘林飞;肖桂娜 | 申请（专利权）人： | 上海超导科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;H01B12/06;H01B13/00 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张妍 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种基于IBAD-MgO金属基带的简化隔离层及其制备方法，在IBAD-MgO金属基带上，采用经简化了的单层CeO2隔离层结构代替复杂的LaMnO3/MgO、CeO2/MgO和CeO2/LaMnO3双层复合隔离层结构，简化了复合隔离层结构，减少了隔离层层数，大大降低了镀膜成本，工艺可重复性和可靠性高，所得薄膜的质量高、表面光滑、致密性好、结合力强，所得薄膜的颗粒大小均匀可控。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 ibad mgo 金属 基带 简化 隔离 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于IBAD‑MgO金属基带的简化隔离层，该简化隔离层沉积在IBAD‑MgO金属基带上，其特征在于，该简化隔离层为单层CeO2隔离层。
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