[发明专利]硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法

摘要

一种硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法，包括：在硅衬底上生长锗层；将其放入MOCVD反应室中，进行第一次退火；在锗层上依次生长低温砷化镓成核层和高温砷化镓层，形成样品；将样品进行抛光，同时清洗MOCVD反应室和样品舟；再将样品放入MOCVD反应室，进行第二次退火；在高温砷化镓层上生长砷化镓缓冲层和InGaP半绝缘层；在InGaP半绝缘层上生长nMOSFET结构；在nMOSFET结构上采用PECVD技术生长二氧化硅层；从二氧化硅层的上表面选区向下刻蚀，刻蚀深度到达锗层内，形成台面，未刻蚀的区域为III-V族区，台面部分为锗区；在III-V族区和锗区之间以及同一区不同器件区域之间制作隔离绝缘墙；在nMOSFET结构上以及锗层的台面上进行源、栅和漏工艺，完成CMOS的制备。

主权项

一种硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底上采用UHVCVD设备生长锗层；步骤2：将生长了锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中，进行第一次退火；步骤3：在锗层上依次生长低温砷化镓成核层和高温砷化镓层，形成样品；步骤4：将样品进行抛光，同时清洗MOCVD反应室和样品舟；步骤5：再将样品放入MOCVD反应室，进行第二次退火；步骤6：在高温砷化镓层上生长砷化镓缓冲层和InGaP半绝缘层；步骤7：在InGaP半绝缘层上生长nMOSFET结构；步骤8：在nMOSFET结构上采用PECVD技术生长二氧化硅层；步骤9：从二氧化硅层的上表面选区向下刻蚀，刻蚀深度到达锗层内，形成台面，未刻蚀的区域为III‑V族区，台面部分为锗区；步骤10：在III‑V族区和锗区之间以及同一区不同器件区域之间制作隔离绝缘墙；步骤11：在nMOSFET结构上以及锗层的台面上进行源、栅和漏工艺，完成CMOS的制备。