[发明专利]一种无掺杂硅基二氧化硅波导有效
| 申请号： | 201310176143.3 | 申请日： | 2013-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN103293597A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 冯丽爽;王俊杰;刘惠兰 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/13 |
| 代理公司： | 北京永创新实专利事务所 11121 | 代理人： | 姜荣丽 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无掺杂硅基二氧化硅波导，包括：硅片经热氧化而形成的二氧化硅层B，采用化学气相沉积法（包括但不限于等离子体增强化学气相沉积法PECVD和低压化学气相沉积法LPCVD）形成的二氧化硅层C，采用沉积非晶硅薄膜后经完全热氧化形成的二氧化硅层T。所述二氧化硅层B用作所述无掺杂硅基二氧化硅波导的下包层；所述二氧化硅层C用作所述无掺杂硅基二氧化硅波导的芯层，该层可以作为平板波导结构的芯层，也可以经刻蚀形成条状波导结构的芯层；所述二氧化硅层T用作所述无掺杂硅基二氧化硅波导的上包层。由于采用了无掺杂设计，所述硅基二氧化硅波导具有抗辐照能力强，缺陷少，损耗低的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 二氧化硅 波导 | ||
【主权项】：
一种无掺杂硅基二氧化硅波导，其特征在于，包括：硅片经热氧化而形成的二氧化硅层(B)，采用气相沉积法形成二氧化硅层(C)，采用沉积非晶硅薄膜后经完全热氧化形成的二氧化硅层(T)；所述二氧化硅层(B)用作所述无掺杂硅基二氧化硅波导的下包层；所述二氧化硅层(C)或用作所述无掺杂硅基二氧化硅波导的芯层；所述二氧化硅层(T)用作所述无掺杂硅基二氧化硅波导的上包层；所述二氧化硅层(B)和所述二氧化硅层T具有比所述二氧化硅层(C)小的折射率，满足形成光学波导的导波条件。
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