[发明专利]一种减少硅通孔电镀铜后晶圆表面过电镀的方法有效
| 申请号： | 201310173844.1 | 申请日： | 2013-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN103258810A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 于大全;伍恒;程万 | 申请（专利权）人： | 江苏物联网研究发展中心 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种减少硅通孔电镀铜后晶圆表面过电镀的方法，属于晶圆级电镀铜填孔技术领域。其在晶圆表面依次做完垂直硅通孔刻蚀、绝缘层、铜扩散阻挡层和铜种子层之后，于电镀填充铜工艺之前，在晶圆表面和垂直硅通孔孔口处再做一层特殊层，所述特殊层材质为金属Ta、V、Ti、Al、Fe或非金属TiN、TaN、AlN。所述特殊层在垂直硅通孔孔口处的高度不大于在晶圆表层的绝缘层、铜扩散阻挡层和铜种子层三者厚度之和。本发明工艺简单，可有效阻挡表层的铜沉积，减轻CMP负担，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 硅通孔电 镀铜 后晶圆 表面 电镀 方法 | ||
【主权项】：
一种减少硅通孔电镀铜后表面过电镀的晶圆，包括晶圆（5），晶圆（5）表面上刻蚀有一垂直硅通孔（4），在晶圆（5）表面上由内至外依次设置有绝缘层（3）、扩散阻挡层（2）和铜种子层（1）；其特征是：在铜种子层（1）外还设置有一特殊层（6）；所述特殊层（6）的厚度为4‑200nm。
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