[发明专利]用于击穿电压改进的功率器件上部分SOI有效
| 申请号： | 201310173217.8 | 申请日： | 2013-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN103855140B | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 林隆世;杨富雄;黄坤铭;林明毅;褚伯韬 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及增加半导体功率器件的击穿电压的方法和装置。通过利用中间氧化物层将器件晶圆接合至操作晶圆来形成接合晶圆。从器件晶圆的原始厚度大幅地减薄器件晶圆。通过半导体制造工艺在器件晶圆内形成功率器件。图案化操作晶圆以去除操作晶圆位于功率器件下方的部分，从而导致功率器件的击穿电压改进以及功率器件在反向偏置条件下的均匀静电势，其中确定击穿电压。也公开了其他方法和结构。公开了用于击穿电压改进的功率器件上部分SOI。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 击穿 电压 改进 功率 器件 部分 soi | ||
【主权项】：
一种功率器件，包括：在器件晶圆的第一表面上设置的晶体管，所述晶体管包括在所述第一表面上方横向间隔设置的源极区、漏极区和沟道区，其中，所述器件晶圆被减薄，减薄后的所述器件晶圆具有2μm和10μm之间的器件晶圆厚度；以及通过中间氧化物层接合至所述器件晶圆的第二表面的操作晶圆，所述操作晶圆包括位于所述晶体管附近的凹槽，其中，所述凹槽位于所述晶体管的漏极区的上方并且仅仅横跨所述晶体管的沟道和所述晶体管的漏极之间的区域，其中，在接近所述器件晶圆的所述第一表面处且在所述源极区和所述漏极区之间形成环形掺杂区域。
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