[发明专利]一种湿法腐蚀样品的Si衬底的方法有效
| 申请号： | 201310172441.5 | 申请日： | 2013-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN103311117A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 丁伟;郭红莲;甘霖;李志远 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种湿法腐蚀Si衬底的方法，包括：1）在与Si衬底相反一侧的功能层上涂覆光刻胶层，并使其干燥；2）在Si衬底及功能层外周形成环氧树脂包裹层；3）在Si衬底侧的包裹层中形成开口，暴露硅衬底；4）利用刻蚀剂对暴露的硅衬底进行腐蚀；5）暴露出涂覆在功能层上的光刻胶层，使该光刻胶层溶解；6）使所述环氧树脂包裹层脱落。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 腐蚀 样品 si 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种湿法腐蚀Si衬底的方法，包括：1）在与Si衬底相反一侧的功能层上涂覆光刻胶层，并使其干燥；2）在Si衬底及功能层外周形成环氧树脂包裹层；3）在Si衬底侧的包裹层中形成开口，暴露硅衬底；4）利用刻蚀剂对暴露的硅衬底进行腐蚀；5）暴露出涂覆在功能层上的光刻胶层，使该光刻胶层溶解；6）使所述环氧树脂包裹层脱落。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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