[发明专利]锰铟掺杂硫化镉量子点敏化剂的制备方法有效
| 申请号： | 201310171079.X | 申请日： | 2013-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN103295790A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 薛黎明;周洪全 | 申请（专利权）人： | 北京桑纳斯太阳能电池有限公司 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042;H01G9/20 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 102200 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于太阳电池的锰铟掺杂CdS半导体量子点敏化剂及其制备方法，该方法是将Mn杂质原子和In杂质原子分别掺杂到CdS半导体量子点中作为敏化剂组装成量子点敏化太阳电池。通过杂质原子的引入，改善了CdS半导体量子点的光电特性，增加了电池的光谱吸收范围和光谱强度，降低了暗电流的产生，提高了太阳电池的短路电流和光电转换效率。此方法简单，易于操作，成本低，可大面积制作。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 硫化 量子 点敏化剂 制备 方法 | ||
【主权项】：
锰铟掺杂硫化镉量子点敏化剂的制备方法，其特征在于，该制备方法为：对CdS量子点掺杂Mn，然后再对CdS量子点掺杂In共同作为敏化剂组装成量子点敏化太阳电池。
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