[发明专利]一种有机薄膜晶体管的制备方法

摘要

本发明公开了一种有机薄膜晶体管的制备方法，它包括SiO2/Si基片的预处理，还包括基片的自组装处理：将十八磷酸溶于四氢呋喃中，配制1mmol/L的溶液，用提拉法在预处理的SiO2/Si基片上生长十八磷酸膜；真空蒸镀有机模板层：将自组装有十八磷酸膜的基片置于真空蒸镀仪中，在真空压力小于1×10-4Pa下，在基片温度25-80℃下，蒸镀5~15nm 6,13-并五苯吡嗪（DAP）分子层；然后，在基片温度25-110℃下，蒸镀80nm红荧烯层，最后真空蒸镀金电极，制得红荧烯有机薄膜晶体管器件。本发明的优点是：能获得有序的晶体状红荧烯有机薄膜，提高了红荧烯有机薄膜晶体管的载流子迁移效率。

主权项

一种有机薄膜晶体管的制备方法，包括SiO2/Si基片的预处理的步骤，其特征在于包括以下步骤：第一步SiO2/Si基片的预处理：将切割好的SiO2/Si基片置于丙酮中超声清洗10分钟，用氮气枪吹干之后将基片置于H2SO4 (98%)∶H2O2(30%) = 7∶3 溶液中，在100℃下处理1小时； 取出后用去离子水清洗，氮气枪吹干，再置于NH3(30%)∶H2O2(30%)∶H2O = 1∶1∶5溶液中，在70℃下处理20分钟，取出后用去离子水清洗，氮气枪吹干，基片清洁工作完成；第二步 基片的自组装处理：将十八磷酸溶于四氢呋喃中，配制1mmol/L的溶液，用提拉法在预处理的SiO2/Si基片上生长十八磷酸膜，在140℃下真空干燥箱内反应48小时，然后取出，用四氢呋喃超声清洗处理后的SiO2/Si基片5分钟；第三步 真空蒸镀有机模板层：将自组装有十八磷酸膜的基片置于真空蒸镀仪中，在真空压力不大于1×10‑4 Pa下，在基片温度25‑80℃下，蒸镀5~15 nm 6,13‑并五苯吡嗪分子层；第四步 真空蒸镀红荧烯层，在真空压力不大于1×10‑4 Pa下，在基片温度25‑110℃下，蒸镀80 nm红荧烯层，最后真空蒸镀金电极，制得红荧烯有机薄膜晶体管器件。