[发明专利]用于硅基薄膜太阳电池的禁带可调式光子晶体背反射器无效
申请号: | 201310168519.6 | 申请日: | 2013-05-09 |
公开(公告)号: | CN103296145A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 侯国付;陈培专;张建军;倪牮;张晓丹;赵颖 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20;H01L31/0232;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/052 |
代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人: | 侯力 |
地址: | 300071*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 一种用于硅基薄膜太阳电池的禁带可调式光子晶体背反射器,由低折射率介质和高折射率介质周期性交叠构成,通过调整周期厚度,可在500-750nm、650-1100nm、700-1200nm波段分别取得96%、99%、99%的平均反射率,分别适合于用作单结非晶硅薄膜太阳电池、双结非晶硅/微晶硅和三结非晶硅/非晶硅锗/微晶硅叠层太阳电池的背反射器。本发明的优点是:采用光子晶体作为硅基薄膜太阳电池背反射器,克服了采用Ag背反射器成本高和其他金属背反射器反射率不够的问题,保证了高效率和降低原材料成本,有助于提高电池开路电压,提升电池稳定性;与电池工艺兼容,有助于降低设备投资和厂房面积,提升产能。 | ||
搜索关键词: | 用于 薄膜 太阳电池 禁带可 调式 光子 晶体 反射 | ||
【主权项】:
一种用于硅基薄膜太阳电池的禁带可调式光子晶体背反射器,其特征在于:由衬底和一维光子晶体组成叠层结构,其中一维光子晶体背反射器是由高折射率介质和低折射率介质周期性交叠构成,周期数大于等于2个整数周期,周期厚度为100‑1200nm,通过改变周期厚度,可得到在不同波长范围内的禁带;所述低折射率介质折射率介于1.4‑2.0,高折射率介质折射率介于3.0‑5.0。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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