[发明专利]单晶等外品N型硅片制造太阳能电池片的方法

摘要

本发明涉及一种单晶等外品N型硅片制造太阳能电池片的方法，是针对解决现有单晶等外品N型硅片较难制作太阳能电池片的技术问题而设计。其方法步骤包括清洗、扩散烧结、去磷硅玻璃、镀减反射膜、二次清洗、制绒抛光、去除减反射膜、再次镀减反射膜、丝网印刷、快速烧结、恒温提取、功率分档，最终制得转换效率18%的N型太阳能电池片。本发明制造工艺简单，成本低，不仅实现资源充分利用，节能环保，且为社会创造能源财富，适合作为太阳能电池片的制造方法，或同类方法的改进。

主权项

一种单晶等外品N型硅片制造太阳能电池片的方法，其特征在于该方法利用单晶等外品N型硅片废料制造太阳能电池片，其方法包括以下步骤：一、将等外品N型硅片进行450℃～550℃真空炉退火处理；二、制绒清洗，将退火处理后的硅片放入温度为80℃～85℃以200L水与氢氧化钠配制成浓度为1.2%的溶液中，并添加0.3%的制绒液体；三、扩散制结，以三氯氧磷扩散剂在830℃～900℃高温下进行所述硅片表面的磷原子浓度加大形成N+极；四、去磷硅玻璃，通过化学腐蚀，将所述硅片放入氢氟酸溶液中浸泡使其产生反应后生成可溶性络和物六氟硅酸；五、镀减反射膜，利用低温等离子体作能量源，将所述硅片置于低气压下辉光发电的阴极上，利用辉光发电使其温度升到预定值，再通入SiH4和NH3气体经一系列反应，在所述硅片表面形成固态减反射膜；六、二次清洗过酸，去除减反射膜背面四周所形成的Si3H4；七、制绒抛光，将硅片放入温度为80℃～85℃的制绒槽内，槽内是以200L水与氢氧化钠配比成浓度为4%的碱性溶液，进行抛光，抛光的目的是对未扩散面磷原子的稀释，达到绝缘，抛光时间为200秒，然后再用氢氟酸去除减反射膜；八、再次镀减反射膜，过程与步骤五相同；九、丝网印刷，采用压印的方法将设计的图形印刷在基板上，完成背场，背电极，正栅线电极的制作，以便引出产生光生电流，通过烧结后形成欧姆接触使电流有效输出，正面电极用银白色金属浆料，印成栅线状，实现良好的接触，背面用铝金属浆料印满整个背面，一是克服电池串联引起的电阻，二是减少背面复合；十、烧结，经过丝网印刷的硅片不能直接使用，需要烧结炉快速烧结，将有机树脂粘合剂烧掉，剩下由玻璃质作用密合在硅片上的银电极，当银电极和晶体硅在高温达到共晶温度时，晶体硅原子以一定的比例融入到银电极材料中去，形成欧姆接触，提高电池片的开路电压的填充因子的参数，使其具有电阻特性，以提高电池片的转换率；烧结炉设有预烧结、烧结、降温冷却三个阶段；预烧结的目的是使浆料中的高分子粘合剂分解，燃烧掉，此阶段温度慢慢上升，烧结的目的是经过印刷后的硅片在烧结体内完成各种物理化学反应，形成电阻膜结构，这样就具有电阻特性，此阶段的温度已达到峰值；降温冷却，玻璃冷却硬化并凝固，使电阻膜结构固定粘在基片上；十一、恒温冷却，在20℃～25℃恒温过道炉，时间20分钟；十二、最后功率测试分选，得到不同功率档的太阳能电池片。