[发明专利]基于低相干技术的低偏振半导体激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 201310164422.8 | 申请日： | 2013-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN104143761A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 朱金通;吕少平;罗宁一 | 申请（专利权）人： | 维林光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/06 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陆明耀;姚姣阳 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于低相干技术的低偏振半导体激光器的制备方法，首先用射频范围的频率产生交变电流AC；再将将一直流电流DC与所述交变电流AC叠加后经半导体激光器产生低简并度光子，该低简并度光子经半导体激光器内谐振腔光放大形成低相干性的宽带激光束；然后将部分所述宽带激光束导入光探测器，产生电子反馈信号，以保持所述半导体激光器处于瞬态或非稳态模模式；最后将剩余所述宽带激光束退偏后形成低相干性的、低偏振的激光。本发明还提供由上述方法制备的低偏振半导体激光器。通过本发明低偏振半导体激光器产生的激光具有高强度，低相干，低偏振的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 相干 技术 偏振 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于低相干技术的低偏振半导体激光器的制备方法，其特征在于包括如下步骤：①用射频范围的频率产生交变电流AC； ②将一直流电流DC与所述交变电流AC叠加后经半导体激光器产生低简并度光子，该低简并度光子经半导体激光器内谐振腔光放大形成低相干性的宽带激光束，每个由半导体激光器输出的纵模均得到展宽；③将部分所述宽带激光束导入光探测器，产生实时响应的、反馈至直流电流DC或交变电流AC的电子反馈信号，以保持所述半导体激光器处于瞬态或非稳态模模式；④将剩余所述宽带激光束退偏后形成低相干性的、低偏振的激光。
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