[发明专利]量子隧道光电检测器阵列有效
| 申请号： | 201310162836.7 | 申请日： | 2007-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103354251A | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | 马莱克·T·麦克尔维兹 | 申请（专利权）人： | 马莱克·T·麦克尔维兹 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L51/42;H01G9/20;H01L31/11;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;王艳春 |
| 地址： | 新加坡新加*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 量子隧道光电检测器阵列和产生图像的方法。光电检测器阵列包括：相对的第一和第二电极对阵列；光敏绝缘材料，布置在各对相对的第一和第二电极之间；电路，用于在各对相对的第一和第二电极之间检测光助量子隧道电流。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 隧道 光电 检测器 阵列 | ||
【主权项】：
一种量子隧道光电检测器阵列，包括：相对的第一电极和第二电极对阵列；光敏绝缘材料，布置在各对相对的第一电极和第二电极之间；和用于在各对所述第一电极和所述第二电极之间检测光助量子隧道电流的电路，其中，所述相对的第一电极和第二电极阵列分别被构成为第一组像素电极和第二组像素电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
