[发明专利]一种半导体装置无效
| 申请号： | 201310158721.0 | 申请日： | 2013-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN104134647A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 黄昭元;何岳风;杨名声;陈辉煌 | 申请（专利权）人： | 艾芬维顾问股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人： | 史霞 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，包含：衬底；硅穿孔(TSV)，贯穿该衬底；至少一第一内联机结构，从该硅穿孔的上方横跨该硅穿孔而将该硅穿孔正上方的区域切割为数个子区域，且用以作为一主动装置的内联机绕线；及复数第二内联机结构，占据该硅穿孔正上方的这些子区域并用以将该硅穿孔电耦合至更高层次的内联机。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包含:衬底;硅穿孔(TSV)，贯穿该衬底;至少一第一内联机结构，从该硅穿孔的上方横跨该硅穿孔将该硅穿孔正上方的区域切割为数个子区域，且用于作为一主动装置的内联机绕线;及复数第二内联机结构，占据该硅穿孔正上方的该些子区域并用以将该硅穿孔电耦合至更高层次的内联机。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾芬维顾问股份有限公司，未经艾芬维顾问股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310158721.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：功率半导体器件
- 下一篇：球焊用稀贵金属银合金丝
