[发明专利]一种半导体装置无效
申请号: | 201310158721.0 | 申请日: | 2013-05-02 |
公开(公告)号: | CN104134647A | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
发明(设计)人: | 黄昭元;何岳风;杨名声;陈辉煌 | 申请(专利权)人: | 艾芬维顾问股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/538 | 分类号: | H01L23/538 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人: | 史霞 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体装置,包含:衬底;硅穿孔(TSV),贯穿该衬底;至少一第一内联机结构,从该硅穿孔的上方横跨该硅穿孔而将该硅穿孔正上方的区域切割为数个子区域,且用以作为一主动装置的内联机绕线;及复数第二内联机结构,占据该硅穿孔正上方的这些子区域并用以将该硅穿孔电耦合至更高层次的内联机。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,包含:衬底;硅穿孔(TSV),贯穿该衬底;至少一第一内联机结构,从该硅穿孔的上方横跨该硅穿孔将该硅穿孔正上方的区域切割为数个子区域,且用于作为一主动装置的内联机绕线;及复数第二内联机结构,占据该硅穿孔正上方的该些子区域并用以将该硅穿孔电耦合至更高层次的内联机。
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