[发明专利]一种用于锑乳胶源埋层扩散的专用设备及方法有效
| 申请号： | 201310158166.1 | 申请日： | 2013-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN103199009A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 黄福仁;黄赛琴;林吉申;林志雄;陈轮兴;杨忠武 | 申请（专利权）人： | 福建省安特半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/228 | 分类号： | H01L21/228 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 351100 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于锑乳胶源埋层扩散的专用设备及方法。所述的专用设备,石英扩散管设置在扩散高温炉中,石英扩散管的前部设有进气口,进气口与均流石英装置相连,石英扩散管的后部设排气口,扩散高温炉分为为三区,炉外设有三区温控装置;所述的锑乳胶源埋层扩散方法本发明采用工艺线上通常使用的热扩散方法制备低阻埋层，涂胶转速转速在2500-5000转/分、扩散条件（扩散最佳温度1250℃、恒温时间7小时、升降温速度5℃/分）、保护气氛（扩散气氛）配比N2：O2=8.8：1.8。本发明实现了双极型集成电路埋层扩散技术优化，也可以推广应用到其它如双极型分立器件埋层扩散，也可以应用在双极型工艺为主的BiCMOS集成电路生产线上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 乳胶 源埋层 扩散 专用设备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于锑乳胶源埋层扩散方法的专用设备,其特征在于,所述的专用设备设有扩散高温炉、石英扩散管、排气口、进气口、均流石英装置;石英扩散管设置在扩散高温炉中,石英扩散管的前部设有进气口, 进气口与均流石英装置相连, 石英扩散管的后部设排气口,扩散高温炉分为为三区,炉外设有三区温控装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
