[发明专利]一种纳米碳化硅的制备方法无效
| 申请号： | 201310154570.1 | 申请日： | 2013-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103232038A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 马文会;谢江生;魏奎先;秦博;伍继君;谢克强;周阳;龙萍;杨斌;戴永年 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种纳米碳化硅的制备方法，属于纳米材料技术领域。将纳米二氧化硅和炭质材料混合均匀，然后将混合物压制成片并烧结后作为阴极，以石墨为阳极，将阴极和阳极放入熔融的氯化物熔盐电解质中，在500℃～1000℃温度下，在阴极和阳极之间施加电压进行电解，将阴极制备得到的产物依次经过碱洗、水洗和干燥，最终得到高纯度的纳米SiC。该工艺具有流程短、能耗低，对环境友好等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 碳化硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米碳化硅的制备方法，其特征在于具体步骤包括如下：将纳米二氧化硅和炭质材料以摩尔比1∶1～2的比例混合均匀、压制成型并烧结后作为阴极，以石墨为阳极，将阴极和阳极放入温度为500～1000℃熔融的氯化物熔盐电解质中，在阴极和阳极之间施加电压进行电解，然后将阴极制备得到的产物依次经过碱洗、水洗和干燥，最终得到高纯度的纳米碳化硅。
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