[发明专利]磁控溅射源移动磁体最优运动规律的计算方法有效
申请号: | 201310153699.0 | 申请日: | 2013-04-27 |
公开(公告)号: | CN103218498A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 王人成;张若凡;程嘉;于璐嘉;柳世强;何崇恺 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 朱琨 |
地址: | 100084 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: |
本发明公开了磁控溅射源移动磁体运动控制技术领域中的一种磁控溅射源移动磁体最优运动规律的计算方法。包括通过仿真得到移动磁体运动经过n个位置处靶材表面上m个点的水平磁场强度;建立用于计算靶材表面m个点的等效水平磁场强度的耦合函数bsumj(ki);根据所述耦合函数bsumj(ki),建立用于计算靶材利用率的目标函数η(ki);以靶材利用率最大化为优化目标,以 |
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搜索关键词: | 磁控溅射 移动 磁体 最优 运动 规律 计算方法 | ||
【主权项】:
1.一种磁控溅射源移动磁体最优运动规律的计算方法,其特征是所述方法包括:步骤1:通过仿真得到移动磁体运动经过n个位置处靶材表面上m个点的水平磁场强度;其中,n和m均为设定值;步骤2:建立用于计算靶材表面m个点的等效水平磁场强度的耦合函数bsumj(ki);其中,ki为移动磁体运动经过第i个位置处的加权系数;步骤3:根据所述耦合函数bsumj(ki),建立用于计算靶材利用率的目标函数η(ki);步骤4:以靶材利用率最大化为优化目标,以
且ki>0为约束条件,利用优化遗传算法对所述目标函数η(ki)进行优化,得到加权系数ki的最优值;步骤5:利用加权系数ki的最优值,推出移动磁体最优运动规律。
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