[发明专利]双温区还原法制备黑色二氧化钛的方法有效
| 申请号: | 201310153648.8 | 申请日: | 2013-04-28 |
| 公开(公告)号: | CN103191707A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
| 发明(设计)人: | 黄富强;汪宙;杨重寅;林天全;尹浩 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号: | B01J21/06 | 分类号: | B01J21/06;B01J37/16 |
| 代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明涉及一种双温区还原法制备黑色二氧化钛的方法,将二氧化钛和高活性金属隔开一定距离地置于具有负压的密闭系统中,分别将所述二氧化钛和高活性金属加热至不同的温度热处理规定的时间,以使所述密闭系统的中的氧分压低于二氧化钛的平衡氧分压从而所述二氧化钛被还原而得到黑色二氧化钛;其中,将所述高活性金属加热至第一温度,将所述二氧化钛加热至低于所述第一温度的第二温度,受热的高活性金属与所述密闭系统的中氧气反应从而降低所述密闭系统的氧分压进而使所述密闭系统的氧分压低于二氧化钛的平衡氧分压。 | ||
| 搜索关键词: | 双温区 还原法 制备 黑色 氧化 方法 | ||
【主权项】:
一种双温区还原法制备黑色二氧化钛的方法,其特征在于,将二氧化钛和高活性金属隔开一定距离地置于具有负压的密闭系统中,分别将所述二氧化钛和高活性金属加热至不同的温度热处理规定的时间,以使所述密闭系统的中的氧分压低于二氧化钛的平衡氧分压从而所述二氧化钛被还原而得到黑色二氧化钛;其中,将所述高活性金属加热至第一温度,将所述二氧化钛加热至低于所述第一温度的第二温度,受热的高活性金属与所述密闭系统的中氧气反应从而降低所述密闭系统的氧分压进而使所述密闭系统的氧分压低于二氧化钛的平衡氧分压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所,未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310153648.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。





