[发明专利]氮化镓系半导体的制造方法、III族氮化物半导体器件及其制造方法

摘要

提供一种能够通过较短时间的热处理使p型掺杂物活性化的、氮化镓系半导体的制造方法、III族氮化物半导体器件的制造方法以及III族氮化物半导体器件。在大气压下进行的热处理(例如大气压的氮气气氛中的热处理)中，如符号“空白三角形”所示，短时间内p型GaN层的比电阻为2.5Ω·cm左右，长时间(30分钟)内p型GaN层的比电阻为2.0Ω·cm左右。但是，长时间(30分钟)的热处理无法提供所需的接触电阻。相反，可提供所需的接触电阻的短时间的热处理在p型GaN层上无法实现所需的比电阻。即，在可实现上述接触电阻的热处理时间下，未进行充分的活性化，无法获得低比电阻。

主权项

一种氮化镓系半导体的制造方法，制造具有p型导电性的氮化镓系半导体，其中，具有在真空中进行III族氮化物半导体区域的热处理的步骤，该III族氮化物半导体区域具备包括p型掺杂物的氮化镓系半导体，并具有相对于与在该氮化镓系半导体的c轴方向延伸的基准轴正交的基准面倾斜的III族氮化物半导体表面。