[发明专利]制造FinFET器件的方法有效
| 申请号： | 201310150962.0 | 申请日： | 2013-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN103972097A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 孙诗平;王菘豊;林经祥;陈能国;万幸仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明首先通过接收FinFET前体来制造FinFET器件。FinFET前体包括衬底，位于衬底上的鳍，位于鳍的两侧上的隔离区和位于衬底上的伪栅极堆叠件，该伪栅极堆叠件包括环绕鳍的一部分，这被称为栅极沟道区。去除伪栅极堆叠件以形成栅极沟槽并且在栅极沟槽中沉积栅极介电层。在栅极介电层上共形的沉积金属应激层(MSL)。在MSL上沉积覆盖层。对MSL施加热处理以实现体积膨胀。然后去除覆盖层并且在MSL上形成金属栅极(MG)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 finfet 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的方法，所述方法包括：接收FinFET前体，所述FinFET前体包括：衬底；鳍，位于所述衬底上；隔离区，位于所述鳍的两侧；和伪栅极堆叠件，位于所述衬底上，包括环绕所述鳍的一部分；去除所述伪栅极堆叠件，以形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽的栅极沟道区中沉积栅极介电层；在所述栅极介电层上形成金属应激源层(MSL)；在所述MSL上沉积覆盖层；对所述MSL实施热处理；在所述热处理之后去除所述覆盖层；以及在所述MSL上形成金属栅极(MG)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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